Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Nawale A$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Nawale A. B. Numerical Investigation of Spatial Effects on the Silicon Solar Cell [Електронний ресурс] / A. B. Nawale, R. A. Kalal, A. R. Chavan, T. D. Dongale, R. K. Kamat // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 2. - С. 02002-1-02002-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_2_4 Investigating the effect of device dimension on the silicon solar cell, by using the PC1D numerical simulation environment, we report strong correlation of efficiency of the silicon solar cell with its size. The results showcase finer efficiency at the lower n-type thickness and higher p-type thickness. The internal quantum efficiency (IQE) and external quantum efficiency (EQE) too exhibit variation with the device size. As a whole, based on the statistical analysis, especially regression, variance, and best subsets selection, the paper depicts that the p-type thickness. ISC and VOC are the preeminent parameters to model the silicon solar cell. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |